基于SiC-MOS IPM的汽车空调应用方案

    芯能半导体SiC-MOSFET 智能功率模块，作为新一代的紧凑型1200V等级封装，集成了优化的SOI工艺6通道栅极驱动芯片与1200V 80mohm的N沟道增强型SiC-MOSFET芯片。为了方便客户更好的测试SiC-MOS的IPM的性能，芯能联合芯能的IDH联合推出基于这颗IPM的汽车空调的参考应用方案。

 1、优秀的启动性能；正弦波启动，在一个电周期内识别转子的位置，并切入转速闭环。能在最大启动压差大于等于18bar启动，带载启动能力强；

2、快速启动和响应，最大加速度3000RPM/s；

3、低噪声高效率：正弦FOC控制，波形平缓，噪音小，运行平稳; 电机最大效率93%。