产品介绍： 芯能的IGBT采用国际创先的沟槽结构+场截止型技术（Trench + FS），合理优化了器件电流密度 ，获得了更佳的饱和导通压降（Vce（sat））和关断损耗（Eoff）平衡。更好适用于电磁加热、电机驱动、工业电源等各类应用。芯能IGBT击穿电压保证足够冗余，电参数一致性高并且有牢固的可靠性。同时具有高的短路电流能力。
特点与优势： 低饱和导通压降； 低开关损耗； 高短路电流耐量； 高的参数一致性； 高的输入阻抗； 正向温度系数，适合并联使用。
产品参数：
产品应用：
